электронно-
- электронно-
-
первая часть сложных прилагательных, пишется через дефис
Слитно или раздельно? Орфографический словарь-справочник. — М.: Русский язык.
.
1998.
Смотреть что такое «электронно-» в других словарях:
-
ЭЛЕКТРОННО-Е — ЭЛЕКТРОННО … Первая часть сложных слов со знач. электронный (во 2 знач.), напр. электронно акустический, электронно волновой, электронно зондовый, электронно измерительный, электронно микроскопический, электронно счётный. Толковый словарь… … Толковый словарь Ожегова
-
электронно — — [http://www.rfcmd.ru/glossword/1.8/index.php?a=index d=23] Тематики защита информации EN electronically … Справочник технического переводчика
-
электронно- — Первая часть сложных слов. Вносит зн. сл.: электронный. Электронно вакуумный, электронно вычислительный, электронно лучевой, электронно музыкальный, электронно оптический, электронно управляемый, электронно ядерный … Энциклопедический словарь
-
электронно- — первая часть сложных слов. вносит зн. сл.: электронный. Электронно вакуумный, электронно вычислительный, электронно лучевой, электронно музыкальный, электронно оптический, электронно управляемый, электронно ядерный … Словарь многих выражений
-
Электронно-лучевая трубка — Принципиальная схема одного из видов ЭЛТ Электронно лучевая трубка[1] (ЭЛТ), кинескоп электровакуумный прибор, преобразующий электрические сигналы в световые. В строгом смысле, электронно лучевыми трубкам … Википедия
-
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ — конденсированное состояние неравновесной электронно дырочной плазмы в полупроводниках (см. Плазма твёрдых тел). Существование Э. д. ж. было теоретически предсказано Л. В. Келдышем в 1968. Неравновесная электронно дырочная плазма в… … Физическая энциклопедия
-
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные электровакуумные приборы, в к рых для индикации, коммутации и др. целей используется поток электронов, сконцентрированный в форме луча или пучка лучей. Э. л. п., имеющие форму трубки, вытянутой в направлении луча, наз. электронно… … Физическая энциклопедия
-
Электронно-ионная эмиссия — Электронно ионная эмиссия явление вырывания ионов с поверхности твёрдого тела под действие потоков электронов. Электронно стимулированная десорбция ионов При использовании потоков электронов с энергиями до нескольких кэВ и током до 1 мА за… … Википедия
-
Электронно-дырочная жидкость — Электронно дырочная жидкость неравновесная фаза электронных возбуждений, существующая в некоторых полупроводниках при низких температурах, если концентрация носителей заряда (электронов проводимости и дырок) превышает некоторую критическую… … Википедия
-
ЭЛЕКТРОННО-ЯДЕРНЫЕ ЛИВНИ — (проникающие ливни, мезонные ливни, струи, звёзды) поток генетически связанных адронов и электронов, возникающий в результате взаимодействия адрона или лептона высокой энергии ( >109 эВ) с нуклонами или ядрами. Открыты в 40 х гг. 20 в. при… … Физическая энциклопедия
-
ЭЛЕКТРОННО-ВОЗБУЖДЁННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — изменение проводимости диэлектриков и полупроводников при облучении их электронами. При энергии электронов 1 10 кэВ ток, наведённый электронной бомбардировкой, может в сотни и тысячи раз превышать ток первичных электронов. Явление Э. в. п.… … Физическая энциклопедия
Смотреть что такое ЭЛЕКТРОННО в других словарях:
ЭЛЕКТРОННО
ЭЛЕКТРОННО-… Первая часть сложных слов со знач. электронный (во 2знач.), напр. электронно-акустический, эяектрон-но-волновои,электронно-зондовый, электронно-измерительный, электронно-микроскопический,электронно-счетный…. смотреть
ЭЛЕКТРОННО
электронно- Первая часть сложных слов-терминов, вносящая значение сл.: электронный (1*) (электронно-акустический, электронно-измерительный и т.п.).
ЭЛЕКТРОННО
корень — ЭЛЕКТР; суффикс — ОНН; окончание — О; Основа слова: ЭЛЕКТРОННВычисленный способ образования слова: Суффиксальный∩ — ЭЛЕКТР; ∧ — ОНН; ⏰ — О; Сл… смотреть
ЭЛЕКТРОННО
ЭЛЕКТРОННО-… Первая часть сложных слов со значение электронный (во 2 значение), например электронно-акустический, эяектрон-но-волновои, электронно-зондовый, электронно-измерительный, электронно-микроскопический, электронно-счётный…. смотреть
ЭЛЕКТРОННО
первая часть сложных прилагательных, пишется всегда через дефис
ЭЛЕКТРОННО
первая часть сложных прилагательных, пишется через дефис
ЭЛЕКТРОННО
(复合词前一部分)表示“电子”之意, 如: ~-акустический 电子声学的. ~-измерительный 电子测量器的.
ЭЛЕКТРОННО ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИН ЕДИНАЯ СИСТЕМА (ЕС ЭВМ)
семейство ЭВМ общего назначения с широким диапазоном производительности (от десятков тыс. до неск. млн. операций в 1 с). ЕС ЭВМ разрабатывается и серийно производится совместно странами — членами СЭВ; первая модель — ЕС-1020 —создана в 1971 (СССР, НРБ), к 1987 разработано ок. 20 моделей (см. табл.). Для ЕС ЭВМ характерны программная совместимость, единая архитектура и единое конструктивно-технол. исполнение, расширенная номенклатура периферийных устройств, развитая система математич. обеспечения, возможность объединения неск. ЭВМ в единую систему. Программная совместимость ЭВМ семейства обеспечивается за счёт единообразия их архитектуры, использования стандартных наборов команд и форматов представления данных, системы кодирования и состава инструкций.Это позволяет иметь общую (для большинства ЭВМ) операционную систему и прикладные программы. Для данных и команд принято неск. форматов, в основе к-рых лежат 1 байт и слово из 4 байтов. Все ЭВМ единой системы созданы по модульному принципу. Каждая ЭВМ содержит центр. процессор с пультом управления, оперативное запоминающее устройство, селекторные и мультиплексные каналы ввода-вывода данных, а также комплект периферийных устройств. Обмен информацией между центральным процессором и внешними устройствами осуществляется через селекторные я мультиплексные каналы связи и стандартный интерфейс. Селекторный канал обеспечивает обмен данными только с одним из подключённых к нему внеш. устройств; мультиплексный канал — одновременно с неск. внеш. устройствами (до 200). В состав периферийных устройств ЕС ЭВМ входят запоминающие устройства на магнитных лентах и дисках, устройства ввода-вывода данных на перфолентах и перфокартах, алфавитно-цифровые печатающие устройства, дисплеи и др. Модульная конструкция ЕС ЭВМ позволяет потребителям выбрать конфигурацию ЭВМ в полном соответствии с характером (требованиями) решаемых задач и с учётом возможного развития вычислит. системы. При изменении состава задач или появлении новых требований существующая конфигурация ЭВМ может быть легко изменена; добавлены новые внеш. устройства или проведена замена процессора более мощным. Технич. и программные средства обеспечивают работу ЭВМ в режимах мультипрограммирования, пакетной обработки, реального масштаба времени, диалоговом и разделения времени, а также в режиме “запрос — ответ”; наиб. часто используется мультипрограммный режим. В ЕС ЭВМ приняты языки: ПЛ/1, алгол-68, фортран, кобол и др.; мн. модели имеют встроенные трансляторы. В системе Госагропрома СССР ЕС ЭВМ используются для оснащения головных отраслевых и респ. ВЦ (напр., ЕС-1046), областных зональных- ВЦ и ВЦ крупных объединений и предприятий (ЕС-1033). Республиканские и отраслевые интегрированные базы данных широкого пользования организуются на основе ЕС-1057 и ЕС-1066. В сер. 80-х гг. в состав ЕС ЭВМ включены также персональные ЭВМ ЕС-1840 и ЕС-1841 для оснащения автоматизированных рабочих мест специалистов разл. профиля. <p>• Системы управления базами данных для ЕС ЭВМ. Справочник, под ред. В. М. Савинкова, М., 1984; Технические средства АСУ. Справочник, под ред. Г. Б. Кезлинга, т. 1, Л., 1986.</p> <br>… смотреть
ЭЛЕКТРОННО ОСНАЩЁННЫЙ
Ударение в слове: электр`онно оснащённыйУдарение падает на букву: оБезударные гласные в слове: электр`онно оснащённый
ЭЛЕКТРОННО ОСНАЩЁННЫЙ
1) Орфографическая запись слова: электронно оснащённый2) Ударение в слове: электр`онно оснащённый3) Деление слова на слоги (перенос слова): электронно … смотреть
ЭЛЕКТРОННО ОСНАЩЁННЫЙ
Начальная форма — Электронно оснащённый, винительный падеж, единственное число, мужской род, неодушевленное
Электро́нно-ды́рочный перехо́д — то же, что р — n-переход.
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — ЭЛЕКТРО́ННО-ДЫ́РОЧНЫЙ ПЕРЕХО́Д (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p .Электронно-дырочный переход является основой широкого класса твердотельных приборов для нелинейного преобразования электрических сигналов в различных устройствах электронной техники.
В состоянии равновесия уровень Ферми (см. ФЕРМИ УРОВЕНЬ) в n- и p-областях выравнивается. Происходит это в результате следующих процессов. На представленной схеме изображен полупроводниковый монокристалл, (например, германий или кремний), правая часть которого легирована донорной примесью и обладает n-типом проводимости, а левая часть монокристалла легирована акцепторной примесью и является полупроводником p-типа проводимости. В общем случае концентрация доноров и акцепторов может быть неодинакова.
Так как концентрация электронов в правой части кристалла (в донорной области) выше, электроны проводимости будут диффундировать в левую часть кристалла через границу раздела и рекомбинировать с дырками. Дырки будут диффундировать в противоположном направлении. В результате в приконтактной области донорного полупроводника практически не остается свободных электронов, и в ней формируется объемный положительный заряд неподвижных ионизированных доноров. Ионизированные акцепторы создают область отрицательного пространственного заряда в акцепторном полупроводнике. Взаимная диффузия электронов и дырок продолжается до тех пор, пока электрическое поле, которое возникает от заряда неподвижных доноров и акцепторов, не остановит диффузионный ток, и в полупроводнике появится потенциальный барьер UD, препятствующий самопроизвольному току в кристалле. Этот потенциал играет роль контактной разности потенциалов. Это же поле выталкивает неосновные носители, перебрасываемые из одной области в другую, и в условиях теплового равновесия при отсутствии внешнего электрического напряжения, полный ток через электронно-дырочный переход равен нулю.
Таким образом, в электронно-дырочном переходе существует динамическое равновесие, при котором небольшой ток, создаваемый неосновными носителями (электронами в р-области и дырками в n-области), течет к p-n-переходу и проходит через него под действием контактного поля. Равный по величине ток, создаваемый диффузией основных носителей (электронами в n-области и дырками в р-области), протекает через переход в обратном направлении. При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта.
Область перехода между p- и n-частями кристалла будет иметь толщину L, которую можно разбить на две составляющие Lp и Ln, расположенные, соответственно, в p- и n-областях кристалла. Расчеты показывают, что: Ln/Lp = (Na/Nd)12, где Na и Nd — концентрации акцепторов и доноров, соответственно. То есть p-n- переход располагается преимущественно в наименее легированной области. Если концентрации доноров и акцепторов равны, то переход будет симметричным, если концентрации не равны, то — несимметричным.
По характеру распределения примесей p-n- переходы подразделяют на резкие и плавные. В случае резкого перехода потенциал UD простирается на малую длину, в случае плавного перехода — на значительную. Как правило, плавные p-n- переходы получают методом диффузионной технологии, когда осуществляется диффузия акцепторной примеси в донорный полупроводник и наоборот. Диффузия может происходить из газовой, жидкой или твердой фазы. Так как концентрация легирующей примеси при диффузии уменьшается вглубь образца постепенно, образуется плавный p-n- переход, границей которого и будет граница областей кристалла с электронным или дырочным типом проводимости. Резкий p-n- переход можно получить методами эпитаксии и ионной имплантации.
p-n- переходы, в которых по обе стороны перехода находятся полупроводники с различной шириной запрещенной зоны, например, германий — арсенид галлия, арсенид галлия — фосфид индия и т. д., называются гетеропереходами (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД).
Внешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Если напряжение источника питания приложено таким образом, что плюс подсоединен к p-области кристалла, а минус — к n-области, то такое направление называется пропускным. В этом случае внешнее поле направлено против контактного, то есть потенциальный барьер понижается (прямое смещение). С ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Концентрация неосновных носителей по обе стороны электронно-дырочного перехода увеличивается за счет инжекции неосновных носителей, одновременно в р- и n-области через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих нейтрализацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через электронно-дырочный переход. При повышении приложенного напряжения этот ток экспоненциально возрастает.
При обратной полярности (обратном смещении), когда положительный полюс источника питания подключен к n-области, а отрицательный — к р-области, потенциал в области перехода становится равным UD + U, где U — величина приложенного напряжения.
Повышение потенциального барьера приводит к тому, диффузия основных носителей через p-n-переход становится пренебрежимо малой. В то же время потоки неосновных носителей через переход не изменяются, поскольку для них барьера не существует. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через p-n-переход течет ток насыщения, который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения.
Таким образом, зависимость тока через p-n-переход от приложенного напряжения U (вольтамперная характеристика) обладает резко выраженной нелинейностью. При изменении знака напряжения ток через p-n-переход может меняться в 105-106 раз. Благодаря этому p-n-переход является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов (см. Полупроводниковый диод (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД)).
Характер вольт-амперной характеристики — кривизна восходящей ветви, напряжение отсечки, абсолютные значения токов, коэффициент выпрямления (отношение прямого и обратного токов при напряжении 1 В), и другие параметры определяются видом полупроводника, концентрацией и типом распределения примесей вблизи n-p-перехода.
Изменение напряжения, приложенного к p-n-переходу, приводит к расширению или уменьшению области пространственного заряда. Объемные заряды представляют собой неподвижные и связанные с кристаллической решеткой ионы доноров и акцепторов, поэтому увеличение объемного заряда может быть обусловлено только расширением его области и, следовательно, уменьшением емкости p-n-перехода. При прямом смещении к емкости слоя объемного заряда, которая называется также зарядной или барьерной екостью, добавляется диффузионная емкость, обусловленная тем, что увеличение напряжения на p-n- переход приводит к увеличению концентрации неосновных носителей, то есть к изменению заряда. Зависимость емкости от приложенного напряжения позволяет использовать p-n-переход как электрический конденсатор переменной емкости — варикап (см. ВАРИКАП).
Зависимость сопротивления p-n-перехода от величины и знака приложенного напряжения позволяет использовать его в качестве регулируемого сопротивления — варистора (см. ВАРИСТОР).
При подаче на электронно-дырочный переход достаточно высокого обратного смещения U = Uпр возникает электрический пробой, при котором протекает большой обратный ток. Состояние, при котором происходит электрический пробой p-n- перехода, является нормальным режимом работы некоторых полупроводниковых приборов, например, стабилотронов (см. СТАБИЛОТРОН).
В зависимости от физических процессов, обуславливающих резкое возрастание обратного тока, различают три основных механизма пробоя p-n-перехода: туннельный, лавинный, тепловой.
Туннельный (зинеровский) пробой, возникает при туннелировании носителей сквозь барьер (см. Туннельный эффект (см. ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ)), когда происходит, например, туннельное просачивание электронов из валентной зоны p-области в зону проводимости n-области полупроводника. Туннелирование электронов происходит в том месте p-n-перехода, в котором в результате его неоднородности возникает наиболее высокая напряженность поля. Напряжение туннельного пробоя p-n-перехода зависит не только от концентрации легирующей примеси и критической напряженности поля, при которой происходит возрастание туннельного тока через p-n-переход, но и от толщины p-n- перехода. С увеличение толщины p-n-перехода вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается, и более вероятным становится лавинный пробой.
При лавинном пробое p-n-перехода на длине свободного пробега в области объемного заряда носитель заряда приобретает энергию, достаточную для ионизации кристаллической решетки, то есть в его основе лежит ударная ионизация. С ростом напряженности электрического поля интенсивность ударной ионизации сильно увеличивается и процесс размножения свободных носителей заряда (электронов и дырок) приобретает лавинный характер. В результате ток в p-n- переходе неограниченно возрастает до теплового пробоя.
Тепловой пробой, связанный с недостаточностью теплоотвода, как правило, локализуется в отдельных областях, где наблюдается неоднородность структуры p-n-перехода, а, следовательно, и неоднородность протекающего через него обратного тока. Повышение температуры вызывает дальнейшее увеличение обратного тока, что в свою очередь, вызывает увеличение температуры. Тепловой пробой — необратимый процесс, преобладающий в полупроводниках с относительно узкой запрещенной зоной (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА).
В p-n-переходах может также наблюдаться поверхностный пробой. Напряжение поверхностного пробоя определяется величиной заряда, локализованного на поверхности полупроводника в месте выхода p-n-перехода наружу. По своей природе поверхностный пробой может быть туннельным, лавинным или тепловым.
Помимо использования нелинейности вольтамперной характеристики и зависимости емкости от напряжения, p-n- переходы находят многообразные применения, основанные на зависимости контактной разности потенциалов и тока насыщения от концентрации неосновных носителей. Концентрация неосновных носителей существенно изменяется при различных внешних воздействиях — тепловых, механических, оптических и др. На этом основан принцип работы различного рода датчиков: температуры, давления, ионизирующих излучений и т. д. p-n-переходы используются также для преобразования световой энергии в электрическую в солнечных батареях.
Электронно-дырочные переходы являются не только основой разного рода полупроводниковых диодов, но также входят в качестве составных элементов в более сложные полупроводниковые приборы — транзисторы (см. ТРАНЗИСТОР), тиристоры (см. ТИРИСТОР) и т. д. Инжекция и последующая рекомбинация неосновных носителей в p-n-переходах используются в светоизлучающих диодах и инжекционных лазерах.
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — то же, что p-n-переход.
Электронно-дырочный переход (схема): чёрные точки — электроны; светлые — дырки (x — координата).
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (переход p-n), переходная область между двумя частями одного кристалла полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n), а другая — дырочную (p). В области электронно-дырочного перехода возникает электрическое поле, которое препятствует переходу электронов из n- в p-область, а дырок — в обратном направлении, что обеспечивает выпрямляющие свойства электронно-дырочного перехода. Является основой многих полупроводниковых приборов.
правильно
электронно-вычислительный
неправильно
электроннов
ычислительный
Дефисное и слитное написание сложных прилагательных
Сложные прилагательные пишутся через дефис или слитно.
Дефис употребляется , если сложное прилагательное:
1) обозначает оттенки цветов;
2) образовано от сложных существительных, которые пишутся через дефис;
3) образовано путём сложения равноправных слов, между которыми можно ставить союз и.
Пример
Жёлто—синий (цвет).
Юго—восточный (юго—восток).
Горько—солёный (горький и солёный).
Слитно пишутся сложные прилагательные, которые образованы на основе словосочетания.
Пример
Правобережный (правый берег).
УМК под редакцией Т. А. Ладыженской, 6 класс.
Проверить правописание любого слова
Результаты поиска
Слово/Фраза
Правило
Дефисное и слитное написание сложных прилагательных
Записи 1-1 из 1
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
электро́нный
Рядом по алфавиту:
электро́н-позитро́нный
электро́н-электро́нный
электро́нно оснащённый
электро́нно-ио́нный
электро́нно-искрово́й
электро́нно-ла́мповый
электро́нно-лучево́й
электро́нно-микроскопи́ческий
электро́нно-музыка́льный
электро́нно-опти́ческий
электро́нно-позитро́нный
электро́нно-светово́й
электро́нно-спу́тниковый
электро́нно-счётный
электро́нно-телевизио́нный
электро́нно-управля́емый
электро́нно-фотографи́ческий
электро́нный
электроногра́мма , -ы
электроно́граф , -а
электронографи́ческий
электроногра́фия , -и
электроно́ж , -ножа́, тв. -о́м
электро́нщик , -а
электро́нщица , -ы, тв. -ей
электрообеспе́че́ние , -я
электрообмо́тка , -и
электрообогре́в , -а
электрообогрева́тель , -я
электрообогрева́тель-ковёр , электрообогрева́теля-ковра́
электрообогрева́тель-одея́ло , электрообогрева́теля-одея́ла, м.
Правильно: электрон — электронный, удвоение НН на стыке основы на Н и суффикса Н.
Но может быть, здесь нулевой суффикс? Но нет, Н — это обычный и очень распространенный суффикс для относительных прилагательных (лес — лесной), но нулевой суффикс всё-таки встречается, например: ворон — вороной, свинья — свиной. Эти слова лучше запомнить.
Безусловно правы! У каждой части слова свои правила написания. К примеру, слово «сдача» пишется с буквой «с», так как это приставка, а приставки з- не бывает.
Слово «прекрасный» пишется с буквой «е», потому что пре- это приставка, имеющая в данном случае значение «очень», то есть очень красивый. У приставки при- свои значения: приближение (прибежать, притянуть), пространственная близость (пришкольный, прибрежный), неполнота действия (присесть, прилечь) и т.д.
Части слова изучает раздел науки о языке — морфемика.
Остриё — это острый конец или режущая кромка чего-Либо: Остриё пики, иголки, ножа.
В переносном значении — главная суть какого-либо явления: Остриё сатиры, полемики.
Пишется и произносится с Ё. Ошибка в произношении возникает из-за факультативности буквы Ё, когда вместо неё пишут Е.
Это существительное 2 склонения ни -ИЕ, но в предложном падеже в соответствии с ударной позицией пишем -ИЕ, на не -ИИ. Например: на острие ножа.
Действительно, очень часто можно услышать неправильное употребление предлогов ИЗ и С, потому что оба эти предлога могут иметь одно и то же значение, а именно: отправление откуда-нибудь; направление обратного движения; указывают место, откуда что-либо удаляется
В одних случаях мы употребляем предлог ИЗ, а в других, казалось бы, аналогичных случаях употребляем предлог С, например: вернулся ИЗ армии, но С флота; приехала ИЗ Челябинска, но С Урала.
Почему используется тот или иной предлог? Однозначного ответа нет, поэтому и происходит такая путаница.
И все-таки в сомнительных случаях можно воспользоваться одним простым правилом, если вспомнить, что у этих предлогов есть антонимы: предлог С имеет антоним НА, а предлог ИЗ — В.
По этому простому правилу нужно всего лишь составить пары антонимов с этими предлогами, тогда все станет ясно. Например, раз мы говорим «вошёл в кабинет», значит, правилен вариант «вышел из кабинета»; приехал на Сахалин — уехал с Сахалина. Понятно, что сказать «приехал на деревню» (как на дерево — на самый верх) ну никак нельзя, то и соответствующее антонимичное сочетание «с деревни» не подходит в этом случае.
Из всего вышесказанного делается вывод, что правильно говорить «ПРИЕХАЛ ИЗ ДЕРЕВНИ«.
Слово «небескорыстный» — это прилагательное мужского рода в единственном числе. В женском роде будет «небескорыстная», в среднем «небескорыстное» и во множественном числе «небескорыстные» (какая?; какое?; какие?). Во всех случаях слово с «не» пишется и слитно и раздельно, определять написание нужно по контексту предложения.
1) «Небескорыстный» пишем в том случае, если в предложении не встречается усиление отрицания, то есть слова «ничуть не», «отнюдь не», «вовсе не» и подобные, а так же нет противопоставления с союзом «а». Согласно правилам, прилагательные будут написаны слитно с «не», если их можно заменить близким по значению синонимом без «не». Синоним без «не» к слову «небескорыстный»: меркантильный.
Пример предложения со словом «небескорыстный»: мой поступок по отношению к нему был небескорыстным.
<hr />
2) «Не бескорыстный» пишем в том случае, если в предложении присутствует противопоставление или усиление отрицания.
Пример предложения со словами «не бескорыстный»: не бескорыстный, а несущий выгоду поступок.
В русском языке в трех случаях частица не пишется со словами всегда слитно, из них два случая относятся к глаголам.
1) Глаголы, которые не употребляются без не, например:
негодовать, невзлюбить, неволить, небрежничать, неглижировать, негодовать, неможется, недоумевать, нездоровиться, неистовствовать, несдобровать, недужиться, ненавидеть, неймется.
Бабушка пожаловалась, что ей сегодня что-то неможется, да и видно было, что ей нездоровится.
Она объяснила нам, что недужиться может чаще всего к ненастью.
Соседка почему-то невзлюбила нашу собаку, мы недоумевали: ведь собака была очень спокойная и дружелюбная.
2) Частица не всегда пишется слитно в составе приставки недо-, например:
недоедать, недовыполнить, недоглядывать, недопонимать, недогружать, недооценивать, недожарить, недоварить.
Мария Степановна недоварила варенье и оно быстро скисло.
Спортсмен недооценил свои возможности, в результате проиграл более слабому сопернику.
электронно-вычислительная
электронновычислительная
электроно-вычислительная
Правила
У слова «электронно-вычислительная» написание дефисное. Слово рекомендуют запоминать, так как оно относится к прилагательным терминологического характера с дефисным написанием. Для таких слов проверки не существует.
Значение слова
«Электронно-вычислительная» — такая, которая используется для быстрых вычислений, автоматической обработки информации.
Примеры слова в предложениях
- Лучшая электронно-вычислительная техника была поставлена в офис компании, руководство планировало полное обновление оборудования.
- Нам нужно качественная электронно-вычислительная техника, но её цена всегда довольно высокая.
Ударение в слове электронно
В упомянутом выше слове ударение должно быть поставлено на слог с первой буквой О — электрОнно.
от слова электронный
Примеры предложений, как пишется электронно
Теперь на подключённом к нему электрокардиографе зелёной линией по электро́нно-лучевой трубке выводилось биение его сердца.
— Ирвин Уэлш, Клей
Адамов не увидел реактивных самолетов, не услышал о меченых атомах, электро́нно-счетных машинах, постройке атомного ледокола.
— Григорий Адамов, Тайна двух океанов
С каждого сотрудника сняли характеристику их индивидуальных биотоков и загрузили в Электро́нно-Счетную Машину (ЭСМ), которая занимала девять корпусов из десяти.
— Александр Зиновьев, Зияющие высоты
На данной странице указано на какой слог правильно ставить ударение в слове электронно. В слове «электронно» ударение падает на слог с первой буквой О — электро́нно.
Надеемся, что теперь у вас не возникнет вопросов, как пишется слово электронно, куда ставить ударение, какое ударение, или где должно стоять ударение в слове электронно, чтобы грамотно его произносить.
1.
… смену им пришли браки, организованные электронно-вычислительной машиной. Теоретически допустимо заложить в машину данные для миллиона … до встречи с А. Итак, электронно-машинное сватовство, теоретически весьма заманчивое, может оказаться неприменимым в нашей … все данные были введены в электронно-вычислительную машину марки IBM-360, которая вывела следующее уравнение: Td …
Паркинсок Сирил. Законы Паркинсона
2.
… то, что именно из этой электронно-магической свалки Темный Двор осуществлял контроль за Тайным Городом, и …
Панов Вадим. Тайный город 1-9
3.
… каковыми являлись станки-автоматы без электронно-вычислительных машин, сопровождалось значительным повышением производительности труда, что обусловило их … говорит широкое применение высокопроизводительных автоматических электронно-вычислительных машин (ЭВМ) в научном производстве и других отраслях сферы … управляющий механизм выступает в виде электронно-вычислительной машины (ЭВМ). Эти автоматы получают широкое распространение в настоящее …
Паршаков Евгений. Экономическиео развитие общества
4.
… он решил начать с лаборатории электронно-вычислительной техники. Во-первых, надо было дать химикам побольше времени … помощи картотеки. Но с распространением электронно-вычислительной техники на все сферы человеческой жизни значительно облегчилось решение … в кулак. — Космическая техника, лазеры, электронно-вычислительные машины — вот далеко не полный перечень областей применения нашей …
Парнов Е.И.. Третий глаз Шивы
5.
… Но без человека вся эта электронно-кибернетическая кухня была пока мертва. И потому странно было видеть …
Павлов Сергей. Аргус против Марса
6.
… при аренде наукоемкого оборудования, например электронно-вычислительных машин, медицинского оборудования, самолетов и т.д. 2. ДОГОВОР … при лизинге сложного технологического оборудования, электронно-вычислительных комплексов, копировальных машин и т.д. Если лизинговый контракт …
Основы внешнеэкономической деятельности (Воловик)
7.
… электронный мозг фантомата. Целый комплекс электронно-вычислительных машин обеспечивал функционирование всего агрегата, где настоящими, реальными были …
Панаско Евгений. Десант из прошлого
8.
… я был, только начинает развивать электронно-химическую цивилизацию. Оружие, которое я везу с собой — оно выбрасывает …
Пайпер Генри. Рассказы
9.
… Ласковой Долине стала бурно развиваться электронно-вычислительная промышленность, но городишко пока оставался настоящей провинцией. Отец близняшек …
Паскаль Френсис. Школа в ласковой долине
10.
… ряд сигналов. Но ведь все электронно-вычислительные машины Америки вместе взятые не способны осуществить этого на …
Пирс Джон. Рассказы
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Карта слов и выражений русского языка
Онлайн-тезаурус с возможностью поиска ассоциаций, синонимов, контекстных связей
и
примеров
предложений к словам и выражениям русского языка.
Справочная информация по склонению имён существительных и прилагательных,
спряжению
глаголов, а также
морфемному строению слов.
Сайт оснащён мощной системой поиска с
поддержкой русской морфологии.
Разбор слова
по составу ОНЛАЙН
Подобрать синонимы
ОНЛАЙН
Найти предложения со словом
или
выражением ОНЛАЙН
Поиск по произведениям русской классики
ОНЛАЙН
Словарь афоризмов русских писателей