Как пишется слово электронно цифровой

электронно-цифровой

Написания слитные и через дефис — электронно-цифровой

Разбор частей речи

Морфологический разбор существительного

План морфологического разбора существительного

Морфологический разбор прилагательного

План морфологического разбора прилагательного

Морфологические признаки глагола

Морфологический разбор глагола

Морфологический разбор глагола пример

Всего найдено: 13

Добрый день! Не стал бы задавать этот вопрос, если б не столкнулся с массовым заблуждением, которое возникает у людей, проверяющих правописание слова «горнотранспортный» на вашем портале. Применительно к геологии и открытым горным работам часто употребляют словосочетания «горно-транспортный комплекс», горно-транспортная схема [железорудного карьера]» и т.д. Видимо, специалисты портала «Грамота.ру» не в курсе тонкостей геологических терминов. Горно-транспортный комплекс — это не про горный транспорт, а про горные работы и транспортировку горной массы, руды. То есть «горно» — горные работы (геологоразведка, бурение, взрыв и эскавация полезных ископаемых) и «транспортный» — транспорт (железнодорожный транспорт, автомобильный транспорт, конвейерные комплексы и т.д.). То есть образование слова по принципу «главное+зависимое» в данном случае не работает. Кроме этого, то такое «горный транспорт»? Такого определения не существует в принципе. Есть горная техника, горные работы, а горное и транспортное оборудование, а горного транспорта увы нет. Ссылка на геологическую литературу, где слово пишется через дефис: https://www.geokniga.org/labels/41236 Заранее благодарю за ответ! С уважением, Николай Николаев

Ответ справочной службы русского языка

Орфографический словарь на нашем портале отражает нормы, установленные академическим «Русским орфографическим словарем» — преемником академического «Орфографического словаря русского языка» (1956—1999). Слитное написание для слова горнотранспортный рекомендуется орфографическими словарями с 1968 года. Орфографистам хорошо известно значение слова, известно также, что правило о написании сложных прилагательных, на которое Вы ссылаетесь, еще с момента его закрепления в «Правилах русской орфографии и пунктуации» 1956 года работает плохо, оно имеет множество исключений, которые фиксировались всегда словарно, никогда не предлагались в виде полного списка к правилу.

Редактор «Русского орфографического словаря» О. Е. Иванова по поводу правила написания сложных прилагательных 1956 года пишет: «…специалистам известно, что правила написания сложных прилагательных далеки от совершенства, а полного списка исключений к ним никогда не было, нет и быть не может. «Правила русской орфографии и пунктуации» 1956 г. (далее — Правила), которые до сего дня являются единственным законодательно утвержденным сводом правил русского правописания, уже давно оцениваются специалистами как неполные и в ряде случаев не соответствующие современному состоянию письма. В частности, и та норма в § 80 п. 2, которая регулирует написание сложных прилагательных, стала нарушаться едва ли не с первых лет существования Правил. Уже в первом издании «Орфографического словаря русского языка» в том же 1956 г. даны с дефисом, несмотря на легко устанавливаемое подчинительное соотношение частей, например, такие слова: буржуазно-демократический (хотя буржуазная демократия), военно-исторический (хотя военная история; и мн. др. слова с первой частью военно-), врачебно-консультационный (хотя врачебная консультация или консультация врача) и врачебно-контрольный, врачебно-наблюдательный, дорожно-строительный, жилищно-кооперативный, конституционно-демократический, парашютно-десантный, союзно-республиканский, стрелково-спортивный, субъективно-идеалистический, уголовно-процессуальный и др. Позднее появились и многие другие прилагательные, пишущиеся не по правилу (к примеру: авторско-правовой, валютно-обменный, врачебно-консультативный, генно-инженерный, государственно-монополистический, гражданско-правовой, дорожно-ремонтный, дорожно-сигнальный, конституционно-монархический, лечебно-физкультурный, молочно-животноводческий, партийно-номенклатурный, ракетно-технический, химико-технологический, экспериментально-психологический, электронно-лучевой, ядерно-энергетический). В справочниках и пособиях по орфографии никогда не давались списки исключений из данного правила, поскольку просто не представляется возможным отследить все отступления при столь динамично развивающемся словарном составе языка. Считается, что дефисному написанию в этих случаях способствует наличие в первой основе суффиксов относительных прилагательных -н-, -енн-, -ов-, -ск- [Правила 2006: 138] , а также отчасти многослоговость первого компонета, из-за чего слитно написанное слово зрительно воспринимается труднее, коммуникация усложняется. <…> Б.З. Букчина и Л.П. Калакуцкая предложили другое правило, основанное не на принципе семантико-синтаксического соотношения частей, а на формальном критерии. В основе его лежит наличие/отсутствие суффикса в первой части сложного прилагательного как показателя её грамматической оформленности: «дихотомичности орфографического оформления соответствует дихотомичность языкового выражения: есть суффикс в первой части сложного прилагательного — пиши через дефис, нет суффикса — пиши слитно» [Букчина, Калакуцкая 1974: 12–13]. Авторы этой идеи, реализованной в словаре-справочнике «Слитно или раздельно?», отмечали, что «формальный критерий не является и не может быть панацеей от всех бед он может служить руководством лишь в тех случаях, когда написание неизвестно или когда имеются колеблющиеся написания» [Там же: 14].

Однако в русском письме устойчивый сегмент написания сложных прилагательных «по правилам» все-таки существует (впервые сформулировано в [Бешенкова, Иванова 2012: 192–193]). Он формируется при наложении двух основных факторов: смысловое соотношение основ и наличие/отсутствие суффикса в первой части. В той области письма, где данные факторы действуют совместно, в одном направлении, написание прилагательного — слитное или дефисное — предсказуемо и, самое главное, совпадает с действующей нормой письма. Там же, где имеет место рассогласование этих факторов, их разнонаправленное действие, написание непредсказуемо, не выводится из правил, определяется только по словарю. Итак, (I) наличие суффикса в первой части (→дефис) при сочинительном отношении основ (→дефис) дает дефисное написание прилагательного (весенне-летний, испанско-русский, плодово-овощной, плоско-выпуклый); (II) отсутствие суффикса в первой части (→слитно) при подчинительном отношении основ (→слитно) дает слитное написание прилагательного (бронетанковый, валютообменный, грузосборочный, стрессоустойчивый); (III) наличие суффикса (→дефис) при подчинительном отношении основ (→слитно) или отсутствие суффикса (→слитно) при сочинительном отношении основ (→дефис) дают словарное написание (горнорудный и горно-геологический, конноспортивный и военно-спортивный, газогидрохимический и органо-гидрохимический, дачно-строительный, длинноволновый…). Понятно, конечно, что зона словарных написаний среди сложных прилагательных весьма обширна (хотя их много и среди сложных существительных, и среди наречий). Словарными, помимо слов с традиционным устоявшимся написанием, являются и те слова, написание которых выбрано лингвистами из двух или нескольких реально бытующих — на основании критериев кодификации» [Иванова 2020].

Применение любого из описанных выше правил осложняется еще и тем, что существует проблема определения смыслового соотношения основ сложного прилагательного — сочинение или подчинение. О. И. Иванова приводит такие примеры: абстрактно-гуманистический (абстрактный гуманизм? или абстрактный и гуманистический?), абстрактно-нравственный (абстрактная нравственность или абстрактный и нравственный), абстрактно-философский (абстрактный и философский или абстрактная философия), аварийно-сигнальный (аварийные и сигнальные работы или сигнализирующие об аварии работы) [Иванова 2020].

Можно ли усмотреть сочинительные отношения между основами, от которых формально образуется прилагательное горнотранспортный? К подчинительным их отнести нельзя (горнотранспортный — «это не про горный транспорт»), но и как сочинительные эти отношения охарактеризовать нельзя (как, например, в словах звуко-буквенный, спуско-подъемный, рабоче-крестьянский), значение слова более сложное, чем просто объединение значений двух образующих его основ. Таким образом, слово горнотранспортный попадает в область написания по словарю. Словарные написания устанавливаются на основе изучения различных факторов, к которым, в частности, относятся традиция словарной фиксации, практика письма в грамотных текстах, (для терминов) в нормативных документах. 

О фиксации в орфографических словарях мы уже писали выше. В профессиональной литературе, документах встречается и дефисное, и слитное написание (см., например, библиографические описания, включающие слово горнотранспортный в РГБ, название колледжа в Новокузнецке, ГОСТ Р 57071-2016 «Оборудование горно-шахтное. Нормативы безопасного применения машин и оборудования на угольных шахтах и разрезах по пылевому фактору»). 

Эти и другие источники убеждают в том, что унификации написания в профессиональной среде не произошло, рекомендуемое академическими орфографическими словарями с 1968 года слитное написание весьма устойчиво. Совокупность рассмотренных лингвистами факторов пока требует сохранять словарную рекомендацию в надежде на стабилизацию написания в соответствии с лексикографической традицией.

Научные труды, упомянутые в ответе на вопрос

Правила — Правила русской орфографии и пунктуации (1956). Утвержд. АН СССР, Мин. высшего образования СССР, Мин. просвещения РСФСР. Москва: Учпедгиз.

Правила 2006 — Правила русской орфографии и пунктуации. Полный академический справочник. Под ред. В.В. Лопатина. М.: ЭКСМО.

Букчина, Калакуцкая 1974 — Букчина Б.З., Калакуцкая Л.П. (1974) Лингвистические основания орфографического оформления сложных слов. Нерешенные вопросы русского правописания. М.: «Наука». С. 5–14.

Бешенкова, Иванова 2012 — Бешенкова Е.В., Иванова О.Е. (2012) Русское письмо в правилах с комментариями. М.: Издательский центр «Азбуковник».

Иванова 2020 — Иванова О.Е. Об основаниях орфографической кодификации прилагательного крымско-татарский [Электронный ресурс]. Социолингвистика. N 2(2), С. 138–149.

Добрый день Как правильно: «подписанный электронно-цифровыми подписями сдающей и принимающей сторон или сторонами?

Ответ справочной службы русского языка

Можно так: подписанный сторонами с помощью электронно-цифровой подписи.

Здравствуйте, пытаясь разобраться в причинах дефисного написания прилагательных при подчиненном соотношении основ, я наткнулась на следующее ваше объяснение: «Из правила о дефисном/слитном написании прилагательных в зависимости от соотношения основ (сочинение/подчинение) в современной письменной речи имеется очень много исключений. Фактически это правило во многих случаях не работает. Дефисному написанию прилагательных способствует наличие в первой основе суффикса относительных прилагательных -н-, -енн-, -ов-, -ск-: естественно-научный, военно-исторический, электронно-лучевой, стрелково-спортивный, гражданско-правовой, парашютно-десантный и мн. др. Число таких «неправильных» написаний неуклонно растет в течение последних десятилетий. Во всех спорных случаях следует обращаться к орфографическим словарям». Не могли бы вы также дать ссылку на нормативные издания, фиксирующие эту тенденцию?

Ответ справочной службы русского языка

Об исследовании орфографии сложных прилагательных можно прочитать, например, в статье Букчиной Б. З. и Калакуцкой Л. П. «Лингвистические основания орфографического оформления сложных слов» (см.: Нерешенные вопросы русского правописания / ред. коллегия: Р. И. Аванесов, Л. П. Калакуцкая, А. А. Реформатский ; АН СССР, Ин-т русского языка. М. : «Наука», 1974. С. 5–14); в предисловии к словарю Букчиной Б. З. и Калакуцкой Л. П. «Слитно или раздельно?» (1-е изд. М., 1972; 3-е изд., испр. и доп. М. 1982), в книге Бешенковой Е. В. и Ивановой О. Е. «Правила русской орфографии с комментариями» (Тамбов, 2012. С. 86–87; см. здесь).

Уважаемые сотрудники портала «Грамота.ру»! Не могу разобраться со словом «естественнонаучный». По идее, оно должно писаться слитно, т.к. образовано от словосочетания «естественные науки» (связь: согласование). Этому учили в школе, это есть у Розенталя (в разделе «Правописание сложных прилагательных»). А у вас на сайте — наоборот, через дефис. Откуда же он взялся в этом слове?! Кто его ввел и когда?

Ответ справочной службы русского языка

Из правила о дефисном/слитном написании прилагательных в зависимости от соотношения основ (сочинение/подчинение) в современной письменной речи имеется очень много исключений. Фактически это правило во многих случаях не работает. Дефисному написанию прилагательных способствует наличие в первой основе суффикса относительных прилагательных -н-, -енн-, -ов-, -ск-: естественно-научный, военно-исторический, электронно-лучевой, стрелково-спортивный, гражданско-правовой, парашютно-десантный и мн. др. Число таких «неправильных» написаний неуклонно растет в течение последних десятилетий. Во всех спорных случаях следует обращаться к орфографическим словарям.

Пожалуйста, скажите что обозначает аббревиатура ЭВМ в связи с компьтером?
Спасибо.

Ответ справочной службы русского языка

ЭВМ — электронно-вычислительная машина.

Здравствуйте,
как правильно писать прил. «электронно-плотный» и «электронно-прозрачный» (термины электронной микроскопии): через дефис или слитно? Спасибо.

Ответ справочной службы русского языка

Корректно написание через дефис.

Уважаемые сотрудники «Справочного бюро»!
В практике нашего издания часто встречается слово времяразрешённый (время-разрешённый) электронно-парамагнитный резонанс. Как правильно писать это слово- вместе или через дефис. С уважением, Нина Алексеевна.

Ответ справочной службы русского языка

Корректно слитное написание.

Уважаемые сотрудники «Справочного бюро»!
Пожалуйста, ответьте, как пишется ЭПР исследование или ЭПР-исследование. Ведь в сочетании «электронно-парамагнитное резонансное исследование по смыслу дефис не нужен. C уважением, Нина Алексеевна.

Ответ справочной службы русского языка

Сложные слова с первой частью — аббревиатурой пишутся через дефис.

Уважаемая Справка! «Рентгенодифрактометрическое и электронномикроскопическое» – слитно или через дефис? Спасибо.

Ответ справочной службы русского языка

Корректно: _рентгенодифрактометрическое, электронно-микроскопическое_.

Это были ЭЛТ-мониторы (сокращение от «электронно-лучевая трубка»). Нужны ли кавычки? Спасибо.

Ответ справочной службы русского языка

Кавычки нужны.

Уважаемая Справка! Похоже, в отношении меня у вас рекорд: я послала 4 письма, и ни на одно не получила ответа. Поверьте, мои вопросы — не праздное любопытство, я редактирую книгу. Поэтому объединяю все 4 письма в одно. Ответьте, не игнорируйте!
1. Нужен ли дефис: электронно-эмиссионный?
2. Автор дал вот такой заголовок к своему докладу: «Генерация гамма-квантов и фотонов МэВ-ных энергий». Как переделать МэВ-ных? Имеется в виду диапазон энергий в несколько МэВ (мегаэлектронвольт).
3. На работе вышел спор, страсти кипят нешуточные. Как пишется слово кэш (область знания – информационные технологии). Раньше писали кэш, но проверка слова дает значение кеш, но все специалисты с этим решительно не согласны. Возникло предположение, что ваш кеш – не из области информационных технологий.
4. Как сократить восьмимикрометровый? 8-мкм? Упорно надеюсь получить ответ. Спасибо.

Ответ справочной службы русского языка

1. Вы написали корректно. 2. Лучше: _МэВ-энергий_. 3. Правильно: _кеш_. 4. Если книга рассчитана на подготовленного читателя, предложенное Вами сокращение допустимо. Однако предпочтительно: _8-микрометровый_.

Здравствуйте! Скажите, пожалуйста, как пишется электронно(?) управляемый?

Ответ справочной службы русского языка

Правильно: _электронно-управляемый_.

Здравствуйте, объясните, пожалуйста, значение слов линокрон и линотрон. Спасибо

Ответ справочной службы русского языка

_Линотрон_ — фотонаборная машина с электронно-лучевой трубкой и другими приспособлениями для набора.
Слово _линокрон_ не зафиксировано в доступных нам словарям. Судя по употреблению в интернет-источниках, можно предположить, что это строительный (кровельный) материал.

Электро́нно-ды́рочный перехо́д — то же, что р — n-переход.

* * *

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — ЭЛЕКТРО́ННО-ДЫ́РОЧНЫЙ ПЕРЕХО́Д (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p .Электронно-дырочный переход является основой широкого класса твердотельных приборов для нелинейного преобразования электрических сигналов в различных устройствах электронной техники.

В состоянии равновесия уровень Ферми (см. ФЕРМИ УРОВЕНЬ) в n- и p-областях выравнивается. Происходит это в результате следующих процессов. На представленной схеме изображен полупроводниковый монокристалл, (например, германий или кремний), правая часть которого легирована донорной примесью и обладает n-типом проводимости, а левая часть монокристалла легирована акцепторной примесью и является полупроводником p-типа проводимости. В общем случае концентрация доноров и акцепторов может быть неодинакова.

Так как концентрация электронов в правой части кристалла (в донорной области) выше, электроны проводимости будут диффундировать в левую часть кристалла через границу раздела и рекомбинировать с дырками. Дырки будут диффундировать в противоположном направлении. В результате в приконтактной области донорного полупроводника практически не остается свободных электронов, и в ней формируется объемный положительный заряд неподвижных ионизированных доноров. Ионизированные акцепторы создают область отрицательного пространственного заряда в акцепторном полупроводнике. Взаимная диффузия электронов и дырок продолжается до тех пор, пока электрическое поле, которое возникает от заряда неподвижных доноров и акцепторов, не остановит диффузионный ток, и в полупроводнике появится потенциальный барьер UD, препятствующий самопроизвольному току в кристалле. Этот потенциал играет роль контактной разности потенциалов. Это же поле выталкивает неосновные носители, перебрасываемые из одной области в другую, и в условиях теплового равновесия при отсутствии внешнего электрического напряжения, полный ток через электронно-дырочный переход равен нулю.

Таким образом, в электронно-дырочном переходе существует динамическое равновесие, при котором небольшой ток, создаваемый неосновными носителями (электронами в р-области и дырками в n-области), течет к p-n-переходу и проходит через него под действием контактного поля. Равный по величине ток, создаваемый диффузией основных носителей (электронами в n-области и дырками в р-области), протекает через переход в обратном направлении. При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта.

Область перехода между p- и n-частями кристалла будет иметь толщину L, которую можно разбить на две составляющие L_p и L_n, расположенные, соответственно, в p- и n-областях кристалла. Расчеты показывают, что: L_n/L_p = (Na/Nd)¹², где Na и Nd — концентрации акцепторов и доноров, соответственно. То есть p-n- переход располагается преимущественно в наименее легированной области. Если концентрации доноров и акцепторов равны, то переход будет симметричным, если концентрации не равны, то — несимметричным.

По характеру распределения примесей p-n- переходы подразделяют на резкие и плавные. В случае резкого перехода потенциал UD простирается на малую длину, в случае плавного перехода — на значительную. Как правило, плавные p-n- переходы получают методом диффузионной технологии, когда осуществляется диффузия акцепторной примеси в донорный полупроводник и наоборот. Диффузия может происходить из газовой, жидкой или твердой фазы. Так как концентрация легирующей примеси при диффузии уменьшается вглубь образца постепенно, образуется плавный p-n- переход, границей которого и будет граница областей кристалла с электронным или дырочным типом проводимости. Резкий p-n- переход можно получить методами эпитаксии и ионной имплантации.

p-n- переходы, в которых по обе стороны перехода находятся полупроводники с различной шириной запрещенной зоны, например, германий — арсенид галлия, арсенид галлия — фосфид индия и т. д., называются гетеропереходами (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД).

Внешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Если напряжение источника питания приложено таким образом, что плюс подсоединен к p-области кристалла, а минус — к n-области, то такое направление называется пропускным. В этом случае внешнее поле направлено против контактного, то есть потенциальный барьер понижается (прямое смещение). С ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Концентрация неосновных носителей по обе стороны электронно-дырочного перехода увеличивается за счет инжекции неосновных носителей, одновременно в р- и n-области через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих нейтрализацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через электронно-дырочный переход. При повышении приложенного напряжения этот ток экспоненциально возрастает.

При обратной полярности (обратном смещении), когда положительный полюс источника питания подключен к n-области, а отрицательный — к р-области, потенциал в области перехода становится равным UD + U, где U — величина приложенного напряжения.

Повышение потенциального барьера приводит к тому, диффузия основных носителей через p-n-переход становится пренебрежимо малой. В то же время потоки неосновных носителей через переход не изменяются, поскольку для них барьера не существует. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через p-n-переход течет ток насыщения, который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения.

Таким образом, зависимость тока через p-n-переход от приложенного напряжения U (вольтамперная характеристика) обладает резко выраженной нелинейностью. При изменении знака напряжения ток через p-n-переход может меняться в 10⁵-10⁶ раз. Благодаря этому p-n-переход является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов (см. Полупроводниковый диод (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД)).

Характер вольт-амперной характеристики — кривизна восходящей ветви, напряжение отсечки, абсолютные значения токов, коэффициент выпрямления (отношение прямого и обратного токов при напряжении 1 В), и другие параметры определяются видом полупроводника, концентрацией и типом распределения примесей вблизи n-p-перехода.

Изменение напряжения, приложенного к p-n-переходу, приводит к расширению или уменьшению области пространственного заряда. Объемные заряды представляют собой неподвижные и связанные с кристаллической решеткой ионы доноров и акцепторов, поэтому увеличение объемного заряда может быть обусловлено только расширением его области и, следовательно, уменьшением емкости p-n-перехода. При прямом смещении к емкости слоя объемного заряда, которая называется также зарядной или барьерной екостью, добавляется диффузионная емкость, обусловленная тем, что увеличение напряжения на p-n- переход приводит к увеличению концентрации неосновных носителей, то есть к изменению заряда. Зависимость емкости от приложенного напряжения позволяет использовать p-n-переход как электрический конденсатор переменной емкости — варикап (см. ВАРИКАП).

Зависимость сопротивления p-n-перехода от величины и знака приложенного напряжения позволяет использовать его в качестве регулируемого сопротивления — варистора (см. ВАРИСТОР).

При подаче на электронно-дырочный переход достаточно высокого обратного смещения U = U_пр возникает электрический пробой, при котором протекает большой обратный ток. Состояние, при котором происходит электрический пробой p-n- перехода, является нормальным режимом работы некоторых полупроводниковых приборов, например, стабилотронов (см. СТАБИЛОТРОН).

В зависимости от физических процессов, обуславливающих резкое возрастание обратного тока, различают три основных механизма пробоя p-n-перехода: туннельный, лавинный, тепловой.

Туннельный (зинеровский) пробой, возникает при туннелировании носителей сквозь барьер (см. Туннельный эффект (см. ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ)), когда происходит, например, туннельное просачивание электронов из валентной зоны p-области в зону проводимости n-области полупроводника. Туннелирование электронов происходит в том месте p-n-перехода, в котором в результате его неоднородности возникает наиболее высокая напряженность поля. Напряжение туннельного пробоя p-n-перехода зависит не только от концентрации легирующей примеси и критической напряженности поля, при которой происходит возрастание туннельного тока через p-n-переход, но и от толщины p-n- перехода. С увеличение толщины p-n-перехода вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается, и более вероятным становится лавинный пробой.

При лавинном пробое p-n-перехода на длине свободного пробега в области объемного заряда носитель заряда приобретает энергию, достаточную для ионизации кристаллической решетки, то есть в его основе лежит ударная ионизация. С ростом напряженности электрического поля интенсивность ударной ионизации сильно увеличивается и процесс размножения свободных носителей заряда (электронов и дырок) приобретает лавинный характер. В результате ток в p-n- переходе неограниченно возрастает до теплового пробоя.

Тепловой пробой, связанный с недостаточностью теплоотвода, как правило, локализуется в отдельных областях, где наблюдается неоднородность структуры p-n-перехода, а, следовательно, и неоднородность протекающего через него обратного тока. Повышение температуры вызывает дальнейшее увеличение обратного тока, что в свою очередь, вызывает увеличение температуры. Тепловой пробой — необратимый процесс, преобладающий в полупроводниках с относительно узкой запрещенной зоной (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА).

В p-n-переходах может также наблюдаться поверхностный пробой. Напряжение поверхностного пробоя определяется величиной заряда, локализованного на поверхности полупроводника в месте выхода p-n-перехода наружу. По своей природе поверхностный пробой может быть туннельным, лавинным или тепловым.

Помимо использования нелинейности вольтамперной характеристики и зависимости емкости от напряжения, p-n- переходы находят многообразные применения, основанные на зависимости контактной разности потенциалов и тока насыщения от концентрации неосновных носителей. Концентрация неосновных носителей существенно изменяется при различных внешних воздействиях — тепловых, механических, оптических и др. На этом основан принцип работы различного рода датчиков: температуры, давления, ионизирующих излучений и т. д. p-n-переходы используются также для преобразования световой энергии в электрическую в солнечных батареях.

Электронно-дырочные переходы являются не только основой разного рода полупроводниковых диодов, но также входят в качестве составных элементов в более сложные полупроводниковые приборы — транзисторы (см. ТРАНЗИСТОР), тиристоры (см. ТИРИСТОР) и т. д. Инжекция и последующая рекомбинация неосновных носителей в p-n-переходах используются в светоизлучающих диодах и инжекционных лазерах.

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — то же, что p-n-переход.

Электронно-дырочный переход (схема): чёрные точки — электроны; светлые — дырки (x — координата).

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (переход p-n), переходная область между двумя частями одного кристалла полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n), а другая — дырочную (p). В области электронно-дырочного перехода возникает электрическое поле, которое препятствует переходу электронов из n- в p-область, а дырок — в обратном направлении, что обеспечивает выпрямляющие свойства электронно-дырочного перехода. Является основой многих полупроводниковых приборов.